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对传统热蒸发技术难以实现的材料蒸发，可采用电子束蒸发(E-beam Evaporation)的方式来实现。不同于传统的辐射加热和电阻丝加热，高能电子束轰击可实现超过3000℃的局域高温，这使得绝大部分常用材料都可以被蒸发出来，甚至是高熔点的材料，例如，Pt，W，Mo，Ta以及一些氧化物，陶瓷材料等。矽碁提供的电子束蒸发源可承载1-6种不同的材料，实现多层膜工艺；蒸发源本身防污染设计，使得不同材料之间的交叉污染降到。
技术参数：
1 本底真空10-7 Torr；
2 基片台可定制，单片或多片；
3 坩埚数量：1 ~ 6；
4 坩埚防污染设计；
5 石英晶振测量膜厚；
6 样品可旋转并加热至：300℃/500℃/800℃；
7 可配备离子束辅助沉积；
8 可配备快速进样室；
9 可与手套箱集成；
10 可根据用户要求将其它镀膜技术与电子束蒸发集成，例如磁控溅射，热蒸发等。
11 全自动控制系统
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